полупроводники

Вырвавшийся из межатомной связи электрон становится «свободным», а там где он находился до этого, образуется пустое место, которое условно называют дыркой. Большая часть полупроводников, образованных четырехвалентными атомами, имеет собственную проводимость. При воздействии электрического поля в материалах начинается движение носителей заряда. Зависимость между скоростью движения и величиной напряженности электрического поля при отсутствии влияния нагрева называется подвижностью. Рост числа взаимных столкновений является причиной того, что при увеличении концентрации подвижность падает. Дырочный полупроводник или р-тип (от латинского positive – положительный) содержит в структуре примесные трёхвалентные атомы, акцепторы.

Создание в кристаллах полупроводников нескольких р-n-переходов открывает возможности для изготовления транзисторов и интегральных схем. Эта особенность реализована в светодиодах, которые имеют большой КПД и с успехом конкурируют с лампами накаливания.Свойства р-n-перехода используются и в транзисторе. Он имеет два связанных друг с другом р-n-перехода, технология изготовления которых похожа на технологию изготовления диода. Система р-n-р или n-р-n -переходов транзистора работает в различных электронных приборах, выполняя роль усилителя или электронного ключа. Полупроводниковые приборы вытеснили электронные лампы и другие классические радиокомпоненты почти из всех видов техники.

Объёмные свойства полупроводника могут сильно зависеть от наличия дефектов в кристаллической структуре. И поэтому стремятся выращивать очень чистые вещества, в основном для электронной промышленности. Легирующие примеси вводят для управления величиной и типом проводимости полупроводника. Например, широко распространённый кремний можно легировать элементом V подгруппы периодической системы элементов — фосфором, который является донором, и создать n-Si. Для получения кремния с дырочным типом проводимости (p-Si) используют бор (акцептор).

В совокупности это делает его востребованным при выпуске электронных приборов ограничения перенапряжения, варисторов, разрядников, тиристоров и иных коммутационных устройств, а также для высоковольтных диодов. За последние 70 лет полупроводники стали ключевым элементом в производстве электроники. С момента изобретения транзистора мир электроники всегда находился на экспоненциальной кривой с точки зрения исследований, разработок, производства, создания новых устройств и технологий. Электроны не ведут себя как объекты на макроуровне; во многом игнорируя законы кинематики Ньютона.

  • При добавлении каких-либо примесей структура кремния остаётся неизменной, зато меняется число носителей заряда.
  • Проводимость полупроводника в результате термогенерации электронно-дырочной пары называется собственной проводимостью.
  • Именно они и представили собой первые ПП, но само название «полупроводник» появилось немного позже.
  • Примесные полупроводники электрически нейтральны и обладают проводимостью, определяемой видом примеси.
  • Практически во всех твердых веществах проводимость обеспечивается свободными электронами.
  • Повышение температуры даёт возможность электрону оторваться от ядра.
  • Примерами проводников являются металлы, вода, земля, тело человека.
  • В зависимости от физической структуры устройства следующий список подразделяется на устройства с двумя терминалами и устройства с тремя терминалами.
  • Для перехода из первого положения во второе нужно обеспечить их вспомогательной энергией.
  • Движение электронов в кристаллических структурах (металлах, полупроводниках, диэлектриках) описывается с помощью квантовой теории твёрдых сред.
  • В 1956 году все трое были награждены Нобелевской премией по физике.
  • В заключение мы вкратце коснемся закона Мура и того, что произойдет, когда производство полупроводников достигнет пределов, установленных законами физики.
  • Иначе говоря, при увеличении температуры ток начинается протекать быстро и беспрепятственно в кристаллической решетке материала, селен становится проводником.

Электрическая проводимость таких материалов меняется под влиянием температур. Это качество позволяет применять их в приборах, связанных с температурными измерениями. Они намного чувствительнее, чем простые металлические термометры сопротивления. Главным признаком диэлектриков является зависимость их проводимости от температуры. Так, если взять металлический проводник и нагревать его, то сопротивление такого проводника будет увеличиваться (рис. 1.65-а). Безо всяких сомнений, полупроводники — основа современной электроники, и останутся таковыми по крайней мере еще многие столетия.

Полупроводниковые материалы: примеры полупроводников

Переходные металлы в свою очередь являются отличными проводниками тепла. Но если вы нагреете медный провод, он станет менее проводящим и будет вести себя скорее как электрический изолятор. Нагревание полупроводников, наоборот, делает их более проводящими.

Образовавшуюся новую дырку после второго электрона, заполняет третий освободившийся электрон, находящийся рядом с этой дыркой (рисунок №1). В свою очередь дырки, находящиеся ближе всего к отрицательному полюсу, заполняются другими освободившимися электронами (рисунок №2). Каждый атом собственного полупроводника имеет 4 валентных электрона; то есть 4 электрона, вращающиеся во внешнем слое каждого атома. В свою очередь каждый из этих электронов образует связи со смежными электронами.

Затем були разрезают на тонкие пластины-подложки толщиной всего в несколько миллиметров, которые шлифуются и полируются до безупречного зеркального блеска. После этого на них методом фотолитографии с использованием интенсивного света наносятся функциональные рисунки (такие как резисторы, транзисторы и конденсаторы). В следующей статье мы расскажем о создании микрочипа, рождении современной Кремниевой долины, а также о состоянии полупроводниковой индустрии сегодня.

Свойствами полупроводников обладают многие другие элементы и вещества, например германий, но в подавляющем большинстве случаев сегодня используется кремний. Для того, чтобы усилить особые свойства полупроводников, они обогащаются добавками — например, мышьяком. Добавление примесей — отдельная непростая задача, которую можно решить множеством способов. Некоторые полупроводниковые материалы обладают свойствами ферромагнетиков, что позволяет создавать устройства с новыми областями применения. В оптоэлектронике наиболее часто используются такие материалы, которые поглощают излучение в том случае, когда ширина запрещенной зоны меньше энергии кванта. Сильная зависимость собственной проводимости от значения температуры является основным физическим свойством полупроводников.

При подключении к источнику напряжения полупроводник будет передавать энергию при определенных условиях, но если вы измените условия, то количество энергии, проходящее через полупроводник, также изменится. Без электроэнергии даже самый современный полупроводник останется всего лишь красивым камнем. В настоящее время полупроводниковые приборы находят широкое применение в радиотехнике, автоматике, вычислительной технике, телемеханике. Светодиодах, используемых в качестве источника инфракрасного излучения, знаковых индикаторах, полупроводниковых лазерах. Поскольку оба эти элемента при преодолении перехода переносят электрический заряд – в цепи начнет течь постоянный ток (фото ниже). Собственные полупроводники, максимальная доля примеси в которых составляет 1 на 10 миллиардов, являются плохими проводниками.

Учитывая их свойства, можно менять проводимость материалов, воздействуя на них магнитными силами (полем). Магнитные полупроводники представляют собой ферромагнетики с собственной магнитной подрешёткой, а немагнитные – диамагнитную кристаллическую матрицу. Немагнитные включают в себя элементы, химические соединения, твёрдые растворы. В полупроводниках с ионной кристаллической решёткой атомы связаны кулоновскими силами, например, сульфид свинца.

  • Ко второй группе полупроводниковых приборов принадлежат приборы, в которых используются специфические свойства р-n-переходов.
  • Проводимость определяется основными носителями, поэтому полупроводниковые материалы n-типа обладают электронной проводимостью.
  • Ширина разрешённой зоны обычно составляет несколько электрон-вольт.
  • Акцепторные примеси захватывают валентные электроны и создают подвижные дырки, но число электронов проводимости не увеличивают.
  • А это значит, что в полупроводнике p-типа основными носителями заряда являются дырки, а не основными — электроны.
  • При температуре выше абсолютного нуля один из валентных электронов соседних атомов, получив достаточную энергию, заполнит недостающую связь.
  • В полупроводниках под воздействием атомов энергетические уровни расщепляются, образуя энергетические зоны.
  • Собственная проводимость обеспечиваемая носителями, возникающими при разрыве связей в кристалле.
  • Для производства термисторов применяют полупроводники, которые обладают существенной величиной отрицательного сопротивления (обычно, это оксидные полупроводники).
  • Продвинутые сенсорные системы, основанные на полупроводниковых технологиях, будут играть важную роль в развитии автономных транспортных средств, индустрии 4.0 и умных городов.

Применение полупроводниковых приборов

  • Выбор легирующей примеси определяет, какими свойствами будет обладать готовый полупроводник.
  • Полупроводнику даёт повышенный уровень проводимости, а для проводника – пониженный.
  • В p-зоне основными носителями заряда являются дырки, а в n-зоне – электроны.
  • Она изменяется при температурном воздействии на тело или при добавлении примесей.
  • P-n переход обладает свойством односторонней проводимости, то есть ток через диод возникает только при подключении p-области (анода) к полюсу источника напряжения, а n-области (катода) – к минусу.
  • При повышении температуры энергии некоторых электронов начинает хватать, чтобы разорвать связь.
  • Одним из первых на необычную температурную зависимость сульфида серебра (Ag2S) обратил внимание выдающийся британский физик-экспериментатор М.
  • При добавлении трехвалентной примеси возникает противоположная ситуация, когда в кристаллической решетке четырехвалентного материала примесь забирает недостающий электрон, а в основном веществе образуется дырка.
  • Полупроводниками называют материалы (химические элементы или соединения), которые нельзя однозначно отнести к диэлектрикам.
  • Они также играют роль аксессуаров для оптических датчиков и силовых устройств систем передачи электроэнергии.

Свободное движение электронов вызывает дисбаланс, который генерирует либо положительный, либо отрицательный заряд. В p-зоне основными носителями заряда являются дырки, а в n-зоне – электроны. При сваривании обеих полупроводников часть электронов вследствие диффузии из n-зоны перейдет в р-зону, где есть дырки, и часть из них нейтрализуются вблизи контакта.

«РБК Тренды» объясняют, что такое полупроводники, как они работают и в каких сферах применяются. Одним из первых на необычную температурную зависимость сульфида серебра (Ag2S) обратил внимание выдающийся британский физик-экспериментатор М. Электрическое сопротивление этого соединения, имеющего в своём составе значительную долю серебра и считавшегося в то время металлом, при нагревании падало. Фарадей обнаружил ещё пять веществ с аналогичными свойствами (сульфид ртути HgS, фторид свинца PbF2 и ряд других). Помимо окислов используются феррит, аморфные стёкла и многие другие соединения.(AIBIIIC2VI, AIBVC2VI, AIIBIVC2V, AIIB2IIC4VI, AIIBIVC3VI). Для получения монокристаллов полупроводников используют различные методы физического и химического осаждения.

  • В чистом кристалле электроны и дырки присутствуют в равном количестве.
  • Некоторые элементы таблицы Менделеева, такие как углерод, кремний и германий, являются внутренними (чистыми) полупроводниками из-за количества электронов в их внешних электронных оболочках.
  • Например, в кремнии и германии связь между атомами ковалентная (электроны соседних атомов образуют «родственные», связующие пары).
  • Односторонняя проводимость касающихся разнородных полупроводников используется в диодах, триодах.
  • Мы считаем, что будущее за новыми материалами и трехмерной компоновкой микросхем, а не за бесконечной миниатюризацией чипов.
  • Этот класс веществ имеет чрезвычайно интересные и полезные для науки и техники свойства.
  • Следует отметить, что свойства полупроводниковых материалов изучены намного лучше, чем свойства металлов и диэлектриков.
  • После отрыва электрона от атома остается свободное место, которое называют дыркой.
  • Таким образом, р-n-переход будет проводить ток только в одном направлении (односторонняя проводимость).

Те примеси, у которых валентность оказывается больше, чем у полупроводника, отдают свободные электроны. А вот те, у которых валентность меньше, чем у полупроводника, имеют свойство хватать и удерживать электроны. Для того чтобы получился полупроводник, который будет обладать лишь проводимостью электронного типа, в исходный материал достаточно ввести вещество, у которого валентность будет всего на единицу больше.

В силу того, используется чистое вещество либо, в которое внесены примеси, проводимость может иметь различный характер. По различным прогнозам, минимальный срок для преодоления кризиса в отрасли составляет 2 года. В настоящий момент полупроводники продолжают расти в цене, а вместе с ними и различное оборудование – от игровых консолей до видеокарт для майнинга криптовалюты. Из-за сложности производства и себестоимости ни одна страна не производит полупроводники от начала до конца. Производство станков и комплектующих, программное обеспечение находятся в разных государствах.

Самой употребляемой схемой включения транзистора является схема включения с общим эмиттером, при которой через базу и эмиттер ток распространяется на коллектор. Если полупроводник расположить в электрическом поле, то электроны и дырки приобретут некоторую скорость вдоль линий поля и в полупроводнике возникнет электрический ток. Поскольку при нагревании увеличивается концентрация электронов и дырок, то при нагревании сопротивление полупроводника уменьшается. При небольших температурах, близких к абсолютному нулю, в описанном выше идеальном кристалле, который состоит из одинаковых атомов, ист дефектов кристаллической решетки, свободные носители заряда отсутствуют. Такой кристалл является идеальным диэлектриком и пс проводит электрический ток.

Полупроводники, благодаря своим качествам, стали востребованным материалом во многих отраслях. Они выделяются маленьким весом и габаритами, высокой надежностью, низким энергопотреблением, не чувствительны к магнитным полям. На термисторы похожи фоторезисторы, в которых изменение сопротивления происходит при освещении их видимым светом.

Leave a Comment

Your email address will not be published. Required fields are marked *

Scroll to Top